| dc.date.accessioned |
2016-05-30T10:24:25Z |
und |
| dc.date.accessioned |
2017-10-24T12:04:08Z |
|
| dc.date.available |
2016-05-30T10:24:25Z |
und |
| dc.date.available |
2017-10-24T12:04:08Z |
|
| dc.date.issued |
2016-05-30T10:24:25Z |
|
| dc.identifier.uri |
http://radr.hulib.helsinki.fi/handle/10138.1/5520 |
und |
| dc.identifier.uri |
http://hdl.handle.net/10138.1/5520 |
|
| dc.title |
Ferroelectric properties of BFBT(Mn) thin films |
en |
| ethesis.discipline |
Physics |
en |
| ethesis.discipline |
Fysiikka |
fi |
| ethesis.discipline |
Fysik |
sv |
| ethesis.discipline.URI |
http://data.hulib.helsinki.fi/id/3434818f-62d6-4ad2-9c9b-7a86be9cf8e6 |
|
| ethesis.department.URI |
http://data.hulib.helsinki.fi/id/3acb09b1-e6a2-4faa-b677-1a1b03285b66 |
|
| ethesis.department |
Institutionen för fysik |
sv |
| ethesis.department |
Department of Physics |
en |
| ethesis.department |
Fysiikan laitos |
fi |
| ethesis.faculty |
Matematisk-naturvetenskapliga fakulteten |
sv |
| ethesis.faculty |
Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta |
fi |
| ethesis.faculty |
Faculty of Science |
en |
| ethesis.faculty.URI |
http://data.hulib.helsinki.fi/id/8d59209f-6614-4edd-9744-1ebdaf1d13ca |
|
| ethesis.university.URI |
http://data.hulib.helsinki.fi/id/50ae46d8-7ba9-4821-877c-c994c78b0d97 |
|
| ethesis.university |
Helsingfors universitet |
sv |
| ethesis.university |
University of Helsinki |
en |
| ethesis.university |
Helsingin yliopisto |
fi |
| dct.creator |
Saressalo, Anton |
|
| dct.issued |
2016 |
|
| dct.language.ISO639-2 |
eng |
|
| dct.abstract |
Ferroelectric materials show many promising features for applications in tomorrow's electronics. The ability to use polarization to store information in a dense space and good endurance make them one of the top contestants for the next generation memory applications, such as Ferroelectric or Resistive Random-Access Memory elements (FeRAM / ReRAM). The ReRAM elements are also a promising type for the missing circuit element, memristor, which links together the magnetic induction flux and the electric charge.
Some materials also exhibit simultaneous ferroelectric polarization and magnetization. These are called multiferroics and could be a key towards magnetoelectric memories and a realization of four-state logic in a single device.
A solid state ceramic, BiFeO 3 , has been under recent interest for such a multiferroic material since it exhibits large polarization simultaneously with magnetization. The challenges of BiFeO 3 include its high conductivity for an insulator and poor phase stability. Other materials with similar unit cell structure have been mixed with the material to successfully improve the properties.
In this work, the ferroelectric properties of a ceramic solid state compound 0.80[BiFe 0.95 Mn 0.05 O 3 ]–0.20[BaTiO 3 ], or BFBT(Mn), were investigated under various electrical measurements. The results show that the material is ferroelectric. They also show that the conduction mechanism inside the material varies with the applied electric field, hinting to Space Charge Limited Conduction mechanism and Resistive Switching. The phenomenon is expected to be linked to migration of oxygen vacancies inside the sample and formation of conductive filaments. |
en |
| dct.abstract |
Ferrosähköisillä aineilla on monia lupaavia ominaisuuksia tulevaisuuden elektroniikan sovellusten kannalta. Polarisaation hyödyntäminen informaation tallentamiseen tiheään tilaan sekä hyvä kestävyys tekevät niistä yhden kärkiehdokkaista seuraavan sukupolven muistisovelluksille, kuten ferrosähköisille tai resistiivisille muisteille (FeRAM / ReRAM). ReRAM-elementit ovat myös lupaava tyyppi puuttuvalle passiivikomponentille, memristorille, joka liittää yhteen käämivuon ja ja sähkövarauksen.
Jotkut materiaalit voivat myös olla yhtä aikaa ferrosähköisiä ja -magneettisia. Näitä materiaaleja kutsutaan multiferriiteiksi ja niiden tutkiminen voi johtaa magnetosähköisten muistien ja neljän tilan logiikkaelementtien kehittämiseen.
Kiinteän olomuodon keraaminen BiFeO 3 on ollut viime vuosina lupaava multiferriittinen yhdiste. Sille on mitattu suuria polarisaation arvoja yhdessä ferromagneettisten ominaisuuksien kanssa. Yhdisteen ongelmina on sen suuri sähkönjohtavuus eristeeksi sekä faasien epävakaus. BoFeO 3 :n ja toisen samankaltaisen rakenteen materiaalin yhdisteiden on onnistuneesti todettu parantavan materiaalin ferrosähköisiä ominaisuuksia.
Tässä opinnäytetyössä tutkittiin 0.80[BiFe 0.95 Mn 0.05 O 3 ]–0.20[BaTiO 3 ]-, eli BFBT(Mn)-materiaalin ferrosähköisiä ominaisuuksia erilaisten sähköisten mittausten avulla. Tulokset osoittavat aineen olevan ferrosähköinen. Ne näyttävät myös, että sähkönjohtavuusmekanismi aineen sisällä muuttuu eri sähkökentillä. Mitatut johtavuuskäyrät viittaavat tilavarausrajoitteiseen johtavuuteen sekä resistiiviseen kytkentään. Johtavuuden arvioitiin olevan yhteydessä happivakanssien liikkeisiin sekä johtavien filamenttien muodostumiseen. |
fi |
| dct.language |
en |
|
| ethesis.language.URI |
http://data.hulib.helsinki.fi/id/languages/eng |
|
| ethesis.language |
English |
en |
| ethesis.language |
englanti |
fi |
| ethesis.language |
engelska |
sv |
| ethesis.thesistype |
pro gradu-avhandlingar |
sv |
| ethesis.thesistype |
pro gradu -tutkielmat |
fi |
| ethesis.thesistype |
master's thesis |
en |
| ethesis.thesistype.URI |
http://data.hulib.helsinki.fi/id/thesistypes/mastersthesis |
|
| dct.identifier.urn |
URN:NBN:fi-fe2017112252126 |
|
| dc.type.dcmitype |
Text |
|
